Технология кремниевой наноэлектроники

1. Введение

2. Тенденции развития современной технологии микроэлектроники

2.1. Международная технологическая дорожная карта для полупроводникового производства

2.2. Закон Мура и другие тенденции

3. Технологические среды

3.1. Чистые производственные помещения

3.2. Жидкие химические и газообразные среды

3.2.1. Очистка газов

3.2.2. Очистка воды

3.2.3. Газовые разряды

4. Геттерирование, очистка и пассивация поверхности полупроводниковых подложек

4.1. Геттерирование

4.2. Реальная поверхность полупроводников

4.3. Очистка криогенными аэрозолями

4.4. Механизм очистки с помощью сверхкритических жидкостей (СКЖ)

4.5. Сухие методы очистки

4.6. Пассивация поверхности

5. Субмикронная литография

5.1. Основные понятия и тенденции

5.2. Иммерсионная литография КУФ-диапазона

5.3. Литография ЭУФ-диапазона

5.4. Импринтинг

5.5. Электронная литография

5.6. Технология электронно-лучевой литографии

5.7. Ионная литография

5.8. Рентгеновская литография

6. Ионное легирование полупроводников

6.1. Технология ионного легирования

6.2. Взаимодействие ионов с твердым телом

6.3. Распределение внедренной примеси по глубине

6.4. Радиационные дефекты при ионном легировании

6.5. Области применения ионного легирования

7. Быстрый термический отжиг

7.1. История развития импульсного отжига

7.2. Методы и оборудование быстрого термического отжига

7.3. Быстрый отжиг ионно-легированных слоѐв

7.4. Быстрые термические обработки при формировании плѐнок силицидов металлов, а также плѐнок термического оксида кремния

или оксинитрида кремния

7.5. Новые методы импульсного отжига

8. Травление микро- и наноструктур

8.1. Классификация методов травления

8.2. Жидкостное химическое травление

8.3. Физика ионного травления

8.4. Разрешающая способность ионно-лучевого травления

Маска

Подложка

8.5. Выбор и обработка маскирующих материалов при ионном травлении

8.6. Модель процесса травления материалов энергетическими и химически активными частицами

8.7. Методы плазменного травления

8.8. Устройства для реализации плазмохимического травления

9. Осаждение металлов и диэлектриков

9.1. Атомно-слоевое химическое осаждение из газовой фазы

9.2. Ионное и ионно-плазменное осаждение тонких пленок в технологии интегральных схем

9.2.1. Общая характеристика

9.2.2. Стимулированное плазмой осаждение тонких слоев диоксида кремния

9.2.3. Плазмохимическое осаждение нитрида кремния

9.2.4. Ионно-плазменное нанесение тонких пленок нитрида алюминия

9.2.5. Плазмохимическое осаждение кремния

9.2.6. Стимулированное плазмой осаждение металлов

9.2.7. Ионно-стимулированное, ионно-лучевое напыление тонких пленок

10. Планаризация рельефа

10.1. Основные понятия и тенденции развития

10.2. Оборудование химико-механической планаризации

10.3. Технология химико-механической планаризации

11. Формирование транзисторов в приповерхностных слоях кремния (FEOL)

11.1. Основные понятия и тенденции развития

11.2. Инженерия канала транзистора

11.3. Инженерия затвора транзистора

11.4. Технологический маршрут FEOL

12. Формирование межэлементных соединений и межуровневой разводки (BEOL)

12.1. Основные понятия и тенденции развития

12.2. Инженерия межуровневого диэлектрика

12.3. Инженерия межуровневой разводки

12.4. Технологический маршрут BEOL

Заключение

Список рекомендуемой литературы