Сайты ТУСУРа

Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники

11.04.04 - Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) План в архиве

Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Изучается: 1 семестр

Цикл дисциплины: Б1. Дисциплины (модули)

Индекс дисциплины: Б1.В.02

Обеспечивающая кафедра: Кафедра физической электроники

Основная литература

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.; Ред. Д.В. Ди Лоренцо, Ред. Д.Д. Канделуола, Ред. пер. Г.В. Петров. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
Доступно в библиотеке: 18 экземпляров


Контрольные испытания

Вид контроля Семестры
Зачет 1

Объем дисциплины и виды учебной деятельности

Вид учебной деятельности 1 семестр 2 семестр 3 семестр 4 семестр Всего Единицы
Лекционные занятия1818часов
Практические занятия1818часов
Самостоятельная работа7272часов
↳ из них практическая подготовка0часов
Общая трудоемкость108108часов
33З.Е

Компетенции

Код Содержание
ПКР-10 Готов формулировать цели и задачи научных исследований в соответствии с тенденциями и перспективами развития электроники и наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники, способностью обоснованно выбирать теоретические и экспериментальные методы и средства решения сформулированных задач
ПКР-13 Способен к организации и проведению экспериментальных исследований с применением современных средств и методов
ПКС-1 Способен проводить анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной СВЧ-электроники