Интегральные устройства радиоэлектроники. Проектирование интегральных схем на арсениде галлия

Содержание

Введение

1 Полевые транзисторы шоттки (ПТШ)

1.1 Цель работы

1.2 Принцип работы ПТШ

1.3 Конструктивно-технологические особенности ПТШ на GaAs

1.4 Модели SPICE полевых транзисторов на GaAs и их соответствие физическим моделям

1.4.1 Статические модели

1.4.2 Малосигнальные модели

1.5 Задание

1.6 Контрольные вопросы

2 Функциональное проектирование ИС

2.1 Цель работы

2.2 Малошумящие усилители на ПТШ

2.2.1 Полевой транзистор как четырехполюсник

2.2.2 Шумовые характеристики

2.3 Шумовая модель SPICE полевого транзистора на GaAs

2.4 Задание

2.4.1 Определение предельных параметров по постоянному току

2.4.2 Определение малосигнальных Y-параметров транзистора

2.4.3 Расчет амплитудо- и шумо-частотной характеристик усилительного каскада

2.5 Контрольные вопросы

3 Разработка конструкции и топологии ИС

3.1 Цель работы

3.2 Элементы СВЧ - ИС

3.3 Разработка топологии

3.4 Разработка конструкции

3.5 Задание

3.6 Контрольные вопросы

4 Технология изготовления кристалла и оформление документации

4.1 Цель работы

4.2 Базовые технологические процессы

4.3 Оформление документации

4.4 Задание

4.5 Контрольные вопросы

Литература

Приложение А

Файл-вставка для расчета характеристик ПТШ и параметров его эквивалентной схемы

Приложение Б

Примеры *.cir - файлов