Исследование статических характеристик транзистора

Исследование статических характеристик транзистора: методические указания к лабораторной работе для студентов специальности 210601.65 - Радиоэлектронные системы и комплексы / С.И. Арестов, А.С. Шангин; Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра электронных приборов. - Томск: ТУСУР, 2014. - 21 с. Целью настоящей работы является исследование характеристик и параметров транзистора и изучение влияния температуры на их свойства. В работе снимаются семейства входных и выходных характеристик, характеристик передачи тока и обратной связи по напряжению при включении транзистора с общей базой и общим эмиттером. По полученным характеристикам для номинального режима вычисляются h - параметры и параметры T - образной схемы транзистора. Пособие предназначено для студентов специальности 210601.65 - Радиоэлектронные системы и комплексы по дисциплине «Электроника 1. Физические основы электроники».