Исследование статических характеристик транзистора

Методические указания к лабораторной работе

Целью настоящей работы является исследование характеристик и параметров транзистора и изучение влияния температуры на их свойства. В работе снимаются семейства входных и выходных характеристик, характеристик передачи тока и обратной связи по напряжению привключении транзистора с общей базой и общим эмиттером. По полученным характеристикам для номинального режима вычисляются h - параметры ипараметры T - образной схемы транзистора. Пособие предназначено для студентов очной и заочной формы, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» и «Электроника и наноэлектроника» (специальность «Электронные приборы и устройства») по дисциплине «Твердотельные устройства», «Твердотельные приборы» и «Твердотельные приборы и устройства», «Компоненты электронных схем».

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Шангин, А. С. Исследование статических характеристик транзистора: Методические указания к лабораторной работе [Электронный ресурс] / А. С. Шангин. — Томск: ТУСУР, 2012. — 21 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/2451
Автор:   Шангин А. С.
Год издания: 2012
Количество страниц: 21
Скачиваний: 2

Оглавление (содержание)

1 Введение

2 Теоретическая часть

2.1 Устройство транзистора

2.2 Схема включения транзистора

2.3 Режим работы транзистора

2.4 Принцип работы транзистора

2.5 Статические характеристики транзистора

2.6 Параметры и эквивалентные схемы

2.7 Контрольные вопросы

3.Экспериментальная часть

3.1 Задание

3.2 Описание лабораторного стенда

3.3 Снятие статических характеристик

3.4 Методические указания

3.5 Определение параметров по статическим характеристикам транзистора

3.6 Обработка результатов измерений

3.7 Содержание отчета

4.Рекомендуемая литература


Похожие пособия