Измерение h-параметров биполярного транзистора

Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»

В методических указаниях кратко изложена работа биполярного транзистора (БПТ) как четырехполюсника, показаны возможные три схемы включения БПТ, составляющие коэффициента усиления, связь между собственными параметрами и параметрами четырехполюсника. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Измерение h-параметров биполярного транзистора: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9962
Год издания: 2022
Количество страниц: 10
Скачиваний: 1

Оглавление (содержание)

Введение……………………………………………………………………......................... 4

1 Измерение h-параметров биполярного транзистора…………………….……. 4

2 Зависимость параметров транзистора от режима

смещения………………………………………………………………….....……………….... 7

3 Задание……………………………………………………………………..…………….…... 9

4 Контрольные вопросы …………………………………………………..………..….... 10

Список рекомендуемой литературы…………………………………….…………….. 10


Похожие пособия