Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники

11.04.04 - Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника)

Очная форма обучения, план набора 2018 г.

Изучается: 1 семестр

Цикл дисциплины: Б1. Дисциплины (модули)

Индекс дисциплины: Б1.В.ОД.3.2

Обеспечивающая кафедра: Кафедра физической электроники

Основная литература

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.; Ред. Д.В. Ди Лоренцо, Ред. Д.Д. Канделуола, Ред. пер. Г.В. Петров. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
Доступно в библиотеке: 23 экземляра

Дополнительная литература

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ. / У.Ф. Уиссмен [и др.]; ред. Н. Айнспрук, ред. У.Ф. Уиссмен, ред. пер. В.Н. Мордкович. – М.: Мир, 1988. – 555 с.
Доступно в библиотеке: 7 экземпляров

Учебно-методическое пособие

Данилина, Тамара Ивановна. Технология СБИС : Учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для студентов специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". - Томск : ТУСУР , 2007. - 70 с.
Доступно в библиотеке: 49 экземпляров

Контрольные испытания

Вид контроля Семестры
Зачет 1

Объем дисциплины и виды учебной деятельности

Вид учебной деятельности 1 семестр 2 семестр 3 семестр 4 семестр Всего Единицы
Лекция1818часов
Практическая работа1818часов
Всего аудиторных занятий3636часов
Из них в интерактивной форме2020часов
Самостоятельная работа7272часов
Общая трудоемкость108108часов
33З.Е

Компетенции

Код Содержание
ПК-1 готовностью формулировать цели и задачи научных исследований в соответствии с тенденциями и перспективами развития электроники и наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники, способностью обоснованно выбирать теоретические и экспериментальные методы и средства решения сформулированных задач
ПК-4 способностью к организации и проведению экспериментальных исследований с применением современных средств и методов
ПСК-1 способностью проводить анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной СВЧ-электроники