Рабочая программа учебной дисциплины
Направление подготовки: 11.04.04 Электроника и наноэлектроника
Профиль: Твердотельная электроника, очная форма обучения, ФЭ
Учебный план набора 2018 года (План в архиве)
Кафедра физической электроники
Основная литература
Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.; Ред. Д.В. Ди Лоренцо, Ред. Д.Д. Канделуола, Ред. пер. Г.В. Петров. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
Доступно в библиотеке:
23
экземляра
Дополнительная литература
Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ. / У.Ф. Уиссмен [и др.]; ред. Н. Айнспрук, ред. У.Ф. Уиссмен, ред. пер. В.Н. Мордкович. – М.: Мир, 1988. – 555 с.
Доступно в библиотеке:
7
экземпляров
Учебно-методическое пособие
Данилина, Тамара Ивановна. Технология СБИС : Учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для студентов специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". - Томск : ТУСУР , 2007. - 70 с.
Доступно в библиотеке:
49
экземпляров
Дисциплины
Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники
Направление подготовки (специальность): 11.04.04 Электроника и наноэлектроника
Профиль: Твердотельная электроника
Индекс дисциплины: Б1.В.ОД.3.2
Форма обучения: очная
Факультет: ФЭТ
Кафедра: ФЭ
Курс: 1
Семестр: 1
Учебный план набора 2018 года
План в архиве