Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Учебное пособие

Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем. Учебное пособие для вузов. - Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012. - 123 с. Рассмотрены материалы, технология изготовления, модели основных структур полупроводниковых интегральных схем. Для студентов, обучающихся по специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Романовский, М. Н. Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем: Учебное пособие [Электронный ресурс] / М. Н. Романовский. — Томск: ТУСУР, 2012. — 123 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1304
Год издания: 2012
Количество страниц: 123
Скачиваний: 277

Оглавление (содержание)

Содержание

1 Введение

1.1 Миниатюризация радиоэлектронных средств

1.2 Классификация интегральных схем

1.3 Сущность технологии полупроводниковых интегральных схем

1.4 Основные направления функциональной электроники

2 Подложки

2.1 Разновидности подложек

2.2 Полупроводниковые материалы

2.3 Механическая обработка подложек

3 Очистка и травление подложек

3.1 Виды загрязнений и очистки

3.2 Жидкостная обработка

3.2.1 Химическое травление

3.2.2 Электрополировка

3.3 Сухое травление

3.3.1 Газовое травление

3.3.2 Ионно-плазменное травление

3.3.2 Плазмохимическое травление

4 Проводящие слои

4.1 Назначение и материалы

4.2 Получение проводящих слоев физическими методами

4.2.1 Термическое вакуумное испарение

4.2.2 Ионно-плазменного распыления

4.3 Получение проводящих слоев химическими методами

4.3.1 Осаждение из парогазовых смесей

4.3.2 Электролитическое осаждение

5 Пполупроводниковые слои

5.1 Диффузия примесей

5.1.1 Диффузия и растворимость

5.1.2 Коэффициент диффузии

5.1.3 Решения уравнений диффузии

5.1.4 Локальная диффузия

5.1.5 Способы проведения диффузии

5.2 Ионное легирование

5.2.1 Распределение пробегов ионов в мишени

5.2.2 Радиационные эффекты

5.2.3 Практические способы ионного внедрения

5.2.4 Локальное ионное внедрение

5.3 Эпитаксиальное наращивание

5.3.1 Газофазная эпитаксия

5.3.2 Жидкофазная эпитаксия

5.3.3 Молекулярно-лучевая эпитаксия

6 Гетеропереходы и квантовые размерные структуры

6.1 Полупроводниковые гетеропереходы

6.1.1 Общие сведения

6.1.2 Эффекты односторонней инжекции и сверхинжекции

6.2 Квантовые ямы, нити и точки

6.2.1 Размерные эффекты

6.2.2 Квантование энергии

6.2.3 Плотность состояний

6.3 Сверхрешетки

7 Диэлектрические слои

7.1 Назначение и материалы

7.2 Методы получения

7.2.1 Термическое окисление

7.2.2 Осаждение из газовой фазы

7.2.3 Ионно-плазменное распыление

7.2.4 Анодное окисление

7.2.5 Термовакуумное испарение

7.3 Параметры качества диэлектрических пленок

7.4 Защитные покрытия

8 Литграфия

8.1 Фотолитография

8.1.1 Фоторезисты

8.1.2 Базовый литографический процесс

8.1.3 Фотошаблоны

8.2 Повышение разрешающей способности фотолитографии

8.2.1 Фазосдвигающие маски

8.2.2 Многослойные резисты

8.2.3 Литография с экстремальным ультрафиолетом

8.3 Другие виды литографии

8.3.1 Электронно-лучевая литография

8.3.2 Рентгенолучевая литография

8.3.3 Ионная литография

9 Модели полупроводниковых структуриэлектрические слои

9.1 Сущность проектирования интегральных схем

9.2 Технологические модели

9.3 Физико-топологические модели

9.4 Электрические модели

Литература