Сайты ТУСУРа

Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводникового диода

Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»

В методических указаниях кратко изложено образование барьерной емкости, зависимость емкости от приложенного напряжения и метода формирования электронно-дырочного перехода. Объяснено формирование вольтамперной характеристики. Рассмотрены методы измерения зависимости емкости от приложенного напряжения. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводникового диода: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 12 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9960
Год издания: 2022
Количество страниц: 12
Скачиваний: 119

Оглавление (содержание)

Введение……………………………………………………………………............................... 4

1 Описание установки и методики измерения вольтамперной и вольтфарадной

характеристик диода….……………………………………………………………………......... 4

2 Задание……………………………………………………………………………………........... 12

3 Данные для расчета…………………………………………...…………………….……...... 12

4 Контрольные вопросы……………………………………………………………………....... 12

Список рекомендуемой литературы…………………………………….……………..….... 13


Похожие пособия