Сайты ТУСУРа

Исследование эффекта Ганна

Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»

В методических указаниях кратко изложено взаимодействие двух близкорасположенных электронно-дырочных переходов. Показано, что от расстояния между переходами – ширины база – зависит ток коллекторного перехода биполярного транзистора, мощность и максимальная рабочая частота. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Исследование эффекта Ганна: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 11 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9958
Год издания: 2022
Количество страниц: 11
Скачиваний: 83

Оглавление (содержание)

Введение……………………………………………………………………........................ 4

2 Вольт-амперная характеристика диода Ганна...…………………………………. 4

3 Доменная устойчивость..…………………...…………………………………………... 8

4 Порядок выполнения работы…..……………………………………………………... 10

5 Контрольные вопросы………………………………………………………………….... 11

Список рекомендуемой литературы…………………………………….……………... 11


Похожие пособия