Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводникового диода

Руководство к лабораторной работе

В настоящей работе исследуются вольтфарадные и вольтамперные характеристики полупроводникового диода и устанавливается их связь с технологическими параметрами. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микро- и наноэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.03 Конструирование и технология электронных средств.

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводникового диода: Руководство к лабораторной работе [Электронный ресурс] / М. М. Славникова. — Томск: ТУСУР, 2018. — 13 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/7759
Автор:   Славникова М. М.
Год издания: 2018
Количество страниц: 13
Скачиваний: 252

Оглавление (содержание)

1. ВВЕДЕНИЕ 2

2. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ И ВОЛЬТФАРАДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДА 2

3. ЗАДАНИЕ 11

4. ДАННЫЕ ДЛЯ РАСЧЕТА 12

5. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 12

6. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 12

List icon

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Похожие пособия

Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М., Артищев С. А. — 2022. 11 с.

Исследование структуры металл - диэлектрик - полупроводник: Руководство к лабораторной работе / Славникова М. М., Славникова М. М., Романовский М. Н. — 2018. 10 с.

Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводникового диода: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М., Артищев С. А. — 2022. 12 с.

Исследование эффекта ганна: Руководство к лабораторной работе по курсу « Физические основы мик- ро- и наноэлектроники» для студентов специальности «Кон- струирование и производство радиоэлектронных средств» / Славникова М. М. — 2015. 11 с.

Исследование эффекта Ганна: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М., Артищев С. А. — 2022. 11 с.

Научно-образовательный портал ТУСУРа

При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта edu.tusur.ru активная ссылка на сайт ТУСУРа обязательна.

Интересующие вас вопросы можно задать в личном кабинете

Задать вопрос