Электроника. Часть 1

Учебное пособие

Настоящее учебное пособие написано на основе лекций, которые автор читает длительное время по дисциплинам: «Электронные и полупроводниковые приборы», «Электроника и микроэлектроника», «Твердотельные электронные приборы и основы микроэлектроники». В учебном пособии использованы работы И. П. Степаненко «Основы теории транзисторов и транзисторных схем», «Основы электроники» и других авторов. Для лучшего усвоения теоретического материала в конце каждой главы приведены вопросы для самопроверки. Пособие написано в соответствии с ГОС для направлений подготовки «Радиотехника» и «Телекоммуникации». При написании учебного пособия автор не ставил перед собой задачи рассмотреть все виды полупроводниковых приборов, которые известны в настоящее время.

Кафедра телевидения и управления

Библиографическая запись:

Ицкович, В. М. Электроника. Часть 1 : Учебное пособие [Электронный ресурс] / В. М. Ицкович, В. А. Шалимов. — Томск: ФДО ТУСУР, 2016. — 209 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/7278.
Год издания: 2016
Количество страниц: 209
Скачиваний: 68

Оглавление (содержание)

Предисловие ............................................................................5

1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ ..................................6

1.1 Введение ............................................................................6

1.2 Структура полупроводниковых материалов .......................6

1.3 Энергетические зоны твердого тела .................................13

1.4 Зонная структура полупроводников .................................16

1.5 Концентрации носителей в зонах полупроводника ..........20

1.6 Уровень Ферми .................................................................25

1.7 Концентрация носителей в полупроводниках ...................28

1.8 Подвижность носителей и удельная проводимость ...........35

1.9 Генерация и рекомбинация носителей в полупроводниках ....39

1.10 Плотность тока в полупроводниках ......................................41

1.11 Заряды в полупроводниках ..................................................44

1.12 Движение зарядов в полупроводниках ................................46

2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ ..............................................56

2.1 Введение ................................................................................56

2.2 Электронно-дырочный переход ..............................................58

2.3 Контакты металл-полупроводник ............................................74

2.4 Анализ идеализированного диода ..........................................77

2.5 Обратная и прямая характеристики реального диода .............87

2.6 Переходные характеристики плоскостного диода ...................96

3 РАЗНОВИДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ ............ 107

3.1 Точечные диоды ................................................................... 107

3.2 Полупроводниковые стабилитроны ...................................... 111

3.3 Туннельные диоды ................................................................ 114

3.4 Диоды Шоттки ....................................................................... 118

3.5 Фотоприёмники (приёмники оптического излучения) ............120

3.6 Фотодиоды .............................................................................121

4 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ...................................................124

4.1 Введение ................................................................................ 124

4.2 Основные процессы в биполярном транзисторе .....................128

4.3 Статические характеристики транзистора ...............................135

4.4 Статические параметры транзистора ......................................141

4.5 Динамические параметры транзистора ..................................148

4.6 Зависимость параметров транзистора от режима и температуры..... 154

4.7 Характеристики и параметры транзистора

при включении с общим эмиттером .............................................157

4.8 Разновидности эквивалентных схем .......................................166

4.9 Составные транзисторы ...........................................................168

4.10 Допустимая мощность ...........................................................169

4.11 Дрейфовые транзисторы .......................................................172

5 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ..........................................................177

5.1 Полевой транзистор с управляющим

p-n переходом (унитрон) ..............................................................177

5.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором.................184

6 ТРАНЗИСТОРНЫЕ КЛЮЧИ .........................................................194

6.1 Введение ................................................................................194

6.2 Статические характеристики ключа в схеме

с общим эмиттером (ОЭ) ............................................................. 195

6.3 Переходный процесс в насыщенном ключе

при открывании транзистора ...................................................... 198

6.4 Методы сокращения времени переходного процесса ........... 205