Микроэлектроника

1. Введение

2. Предмет микроэлектроники

2.1.Основные положения микроэлектроники

2.2.Процессы проектирования интегральных микросхем

2.3. Классификация интегральных микросхем

3.Биполярные транзисторы интегральных схем

3.1. Общие сведения о биполярных транзисторах

3.2. Потоки носителей зарядов в БТ

3.3. Внутренние и внешние параметры БТ

3.4. Статические параметры

3.5. Явления в БТ при больших токах

3.6. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением (эффект Эрли)

3.7. Пробой транзистора

3.8. Статические характеристики

3.9. Динамический режим работы

3.10.Усилительные свойства

3.11.Частотные параметры

3.12.Эквивалентная схема биполярного транзистора

3.13.Системы z-, y-, h-параметров

3.14.Модели биполярного транзистора

3.15.Некоторые разновидности биполярных транзисторов

3.16.Основные параметры биполярных транзисторов и их ориентировочные значения

3.17.Маркировка транзисторов

3.18.Четырехслойные структуры

4. Полевые транзисторы интегральных схем

4.1 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

4.2.Дифференциальные параметры

4.3.Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник

4.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором

4.5. Импульсный режим полевых транзисторов

5. Элементы интегральных микросхем

5.1. Методы изоляции элементов ИМС

5.2. Конструирование и выбор структуры интегральных транзисторов

5.3. Конструирование и расчет диодов

5.4. Диоды и транзисторы с барьером Шоттки

5.5. Полевые транзисторы в интегральных схемах

5.5.1.Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

5.5.2. Типы МДП-транзисторов

5.6. Интегральные резисторы

5.7. Конструирование и расчет конденсаторов

6. Перспективные элементы и предельные возможности интегральной микроэлектроники

6.1 Некоторые тенденции развития микроэлектроники

6.2. Технологические особенности арсенида галлия

6.3. Физические ограничения на уменьшение размеров элементов интегральных схем

6.4. Ограничения и пределы развития кремниевых БИС

6.5. Полевые транзисторы на арсениде галлия

6.5.1. Простейшая структура МЕП-транзистора

6.5.2.Разновидности структур МЕП-транзисторов

6.5.3.Паразитные связи между элементами через изолирующую подложку

6.5.4.Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник и гетеропереходом

6.6 Современные тенденции развития технологии интегральных микросхем

7.Аналоговык интегральные микросхемы

7.1. Основные функции, выполняемые аналоговыми МС

7.2. Номенклатура и схемотехника построения аналоговых ИМС

7.3. ИМС операционных усилителей

7.4.БИС цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей

8. Цифровые интегральные микросхемы

8.1.Общие сведения

8.2.Классификация цифровых ИМС и их основные электрические параметры

8.3.Схемотехническая реализация основных логических функций ИМС

8.4.ИМС транзисторно-транзисторной логики

8.5.ИМС эмиттерно-связанной логики

8.6.ИМС на МДП-транзисторах

8.7.ИМС на элементах инжекционной логики

8.8.ИМС запоминающих устройств

8.9.Микропроцессоры и микро ЭВМ

9. Функциональная микроэлектроника

9.1. Основные направления функциональной микроэлектроники

9.2. Оптоэлектроника

9.3. Акустоэлектроника

9.4. Магнетоэлектроника

9.5. Приборы на эффекте Ганна

9.6. Диэлектрическая электроника

9.7. Криоэлектроника

9.8. Хемотроника

9.9. Приборы с зарядовой связью

9.10. Молекулярная электроника и биоэлектроника

Список используемых источников