Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники, 2023

Рабочая программа учебной дисциплины

Направление подготовки: 11.04.04 Электроника и наноэлектроника

Профиль: Твердотельная электроника, очная форма обучения, ФЭ

Учебный план набора 2023 года

Кафедра физической электроники

Автор:   Кагадей В. А.
Год издания: 2023

Основная литература

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.; Ред. Д.В. Ди Лоренцо, Ред. Д.Д. Канделуола, Ред. пер. Г.В. Петров. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
Доступно в библиотеке: 18 экземпляров

Дополнительная литература

Оборудование для создания и исследования свойств объектов наноэлектроники: Учебное пособие / Чистоедова И. А., Данилина Т. И. — 2011. 98 с.

Технология кремниевой наноэлектроники: Учебное пособие / Анищенко Е. В., Данилина Т. И., Кагадей В. А. — 2011. 263 с.

Учебно-методическое пособие

Интегральные устройства радиоэлектроники. Проектирование интегральных схем на арсениде галлия: Руководство к практическим занятиям / Романовский М. Н., Нефедцев Е. В. — 2010. 76 с.

Дисциплины

+

Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники

Направление подготовки (специальность): 11.04.04 Электроника и наноэлектроника

Профиль: Твердотельная электроника

Индекс дисциплины: Б1.В.01.02

Форма обучения: очная

Факультет: ФЭТ

Кафедра: ФЭ

Курс: 1

Семестр: 1

Учебный план набора 2023 года

Научно-образовательный портал ТУСУРа

При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта edu.tusur.ru активная ссылка на сайт ТУСУРа обязательна.

Интересующие вас вопросы можно задать в личном кабинете

Задать вопрос