Сайты ТУСУРа

Наноэлектроника

Учебное пособие

Настоящее учебное пособие подготовлено в рамках выполнения проекта ГК «Роснанотех» «Разработка и апробация программы опережающей профессиональной переподготовки и учебно-методического комплекса (УМК), ориентированных на инвестиционные проекты ГК «Роснанотех» в области производства конкурентоспособной продукции наноэлектроники на основе наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн и дискретных полупроводниковых приборов». Пособие предназначено для слушателей программы переподготовки, ориентированных на приобретение компетенций в области новых технологий формирования кремниевых интегральных схем. Целью изучения данного пособия является формирование у слушателей знаний в области наноразмерных структур, их электрических и оптических свойств, а также технологий их получения и применения в различных устройствах наноэлектроники.

Кафедра физической электроники

Библиографическая запись:

Сахаров, Ю. В. Наноэлектроника: Учебное пособие [Электронный ресурс] / Ю. В. Сахаров, П. Е. Троян. — Томск: ТУСУР, 2010. — 88 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/537
Год издания: 2010
Количество страниц: 88
Скачиваний: 1309
УДК:   621.382.(075.8)

Оглавление (содержание)

Предисловие

Введение

1. Физические основы наноэлектроники

1.1. Квантовое ограничение

1.2. Полупроводниковые гетероструктуры

1.3. Cверхрешетки

1.3.1. Полупроводниковые сверхрешетки. Общие понятия.

1.3.2. Энергетические диаграммы сверхрешеток.

1.3.3. Энергетический спектр электронов в сверхрешетках

1.3.4. Свойства электронного газа в сверхрешетках.

1.4. Влияние квантово-размерных эффектов на свойства вещества.

2. Способы формирования квантово-размерных наноструктур

2.1. Формирование квантовых точек

2.2. Формирование квантовых проволок (нитей)

2.3. Формирование квантовых ям.

3. Квантовые эффекты

3.1. 2D-электронный газ в магнитном поле

3.2. Целочисленный и дробный квантовый эффект Холла.

3.3. Эффект Ааронова–Бома

3.4. Эффект Штарка

3.5. Квантово-размерный эффект Штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами

3.6. Туннельный эффект

3.7. Эффект Джозефсона

3.8. Кулоновская блокада

3.8.1. Кулоновская блокада с одним туннельным переходом

3.8.2. Кулоновская блокада с двумя туннельными переходами

3.8.3. Сотуннелирование

4. Устройства наноэлектроники

4.1. Приборы на резонансном туннелировании

4.1.1. Диоды на резонансном туннелировании

4.1.2. Транзисторы на резонансном туннелировании

4.1.3. Логические элементы на резонансно-туннельных приборах

4.2. Приборы на одноэлектронном туннелировании

4.2.1. Одноэлектронный транзистор

4.2.2. Одноэлектронный насос

4.2.3. Одноэлектронная память

4.3. Устройства на основе сверхрешеток

4.3.1. Инфракрасные фотоприемники

4.3.2. Сверхрешетки в лазерных структурах.

4.3.3. Квантовые каскадные лазеры.

4.3.4. Лавинные фотодиоды

4.3.5. Оптические модуляторы

4.4. Транзисторы с высокой подвижностью

Заключение

Список литературы