Актуальные проблемы наноэлектроники

Введение.

Практическое занятие No 1 по разделу 1.

Актуальные проблемы получения и производства материалов наноэлектроники.

1.1. Технологии рентгеновской микроскопии.

1.2. Свойства индивидуальных наночастиц.

Практическое занятие No 2 по разделу 1 Введение. Актуальные проблемы получения и производства материалов наноэлектроники.

2.1. Новейшие материалы наноэлектроники: технологии получения и применение.

2.2. В направлении к графеновой электронике.

2.3. Высокоскоростные графеновые транзисторы.

2.4. Эффективные транзисторы на основе графеновых полос.

Практическое занятие No 3 и No4 по разделу No2 Актуальные проблемы наноэлектроники.

3.1. Проблемы на пути перехода от микро– к наноэлектронике.

4.1. Новые подходы к созданию электроники наноразмерных элементов и наноструктур.

Практическое занятие No 5 по разделу No3 Актуальные проблемы создания твердотельных наноструктур и их применение.

5.1. Квантово-точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика.

5.2. Нанокомпьютеры.

Практическое занятие No 6 по разделу No3 Актуальные проблемы создания твердотельных наноструктур и их применение.

6.1. Проблема малого отношения токов открытого и закрытого состояний в полевых транзисторах на основе графена.

6.2. Туннельные полевые транзисторы на основе графена.

Самостоятельная работа студента. Вопросы теоретической части курса, отводимые на самостоятельную проработку.

1. к Разделу 1 Актуальные проблемы получения и производства материалов наноэлектроники.

1.1. Углеродные молекулы. Природа углеродной связи.

1.2. Углеродные кластеры. Малые углеродные кластеры. Фуллерен С60. Неуглеродные шарообразные молекулы.

1.3. Углеродные нанотрубки. Методы получения. Применение углеродных нанотрубок.

2. к Разделу 2 Актуальные проблемы наноэлектроники.

2.1. Резонансное туннелирование. Приборы на резонансном туннелировании.

2.2 Эффект Кондо.

2.3. Спинтронные приборы.

3. к Разделу 3 Актуальные проблемы создания твердотельных наноструктур и их применение.

3.1.Трехмерная графеновая электроника.

3.2. Самосборка при эпитаксии. Осаждение пленок Лэнгмюра-Блоджетт.

Самостоятельная работа студента. Темы рефератов.

1.1. к Разделу 1 Актуальные проблемы получения и производства материалов наноэлектроники.

1.2. к Разделу 2 Актуальные проблемы наноэлектроники.

1.3. к Разделу 3 Актуальные проблемы создания твердотельных наноструктур и их применение.

Контрольные вопросы по курсу.

Библиографический список.