Методические рекомендации для практических занятий и для организации самостоятельной работы студента для направления магистерской подготовки 222000.68 «Инноватика», профиль «Управление инновациями в электронной технике»
Кафедра управления инновациями
Библиографическая запись:
Оглавление (содержание)
Введение.
Практическое занятие No 1 по разделу 1.
Актуальные проблемы получения и производства материалов наноэлектроники.
1.1. Технологии рентгеновской микроскопии.
1.2. Свойства индивидуальных наночастиц.
Практическое занятие No 2 по разделу 1 Введение. Актуальные проблемы получения и производства материалов наноэлектроники.
2.1. Новейшие материалы наноэлектроники: технологии получения и применение.
2.2. В направлении к графеновой электронике.
2.3. Высокоскоростные графеновые транзисторы.
2.4. Эффективные транзисторы на основе графеновых полос.
Практическое занятие No 3 и No4 по разделу No2 Актуальные проблемы наноэлектроники.
3.1. Проблемы на пути перехода от микро– к наноэлектронике.
4.1. Новые подходы к созданию электроники наноразмерных элементов и наноструктур.
Практическое занятие No 5 по разделу No3 Актуальные проблемы создания твердотельных наноструктур и их применение.
5.1. Квантово-точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика.
5.2. Нанокомпьютеры.
Практическое занятие No 6 по разделу No3 Актуальные проблемы создания твердотельных наноструктур и их применение.
6.1. Проблема малого отношения токов открытого и закрытого состояний в полевых транзисторах на основе графена.
6.2. Туннельные полевые транзисторы на основе графена.
Самостоятельная работа студента. Вопросы теоретической части курса, отводимые на самостоятельную проработку.
1. к Разделу 1 Актуальные проблемы получения и производства материалов наноэлектроники.
1.1. Углеродные молекулы. Природа углеродной связи.
1.2. Углеродные кластеры. Малые углеродные кластеры. Фуллерен С60. Неуглеродные шарообразные молекулы.
1.3. Углеродные нанотрубки. Методы получения. Применение углеродных нанотрубок.
2. к Разделу 2 Актуальные проблемы наноэлектроники.
2.1. Резонансное туннелирование. Приборы на резонансном туннелировании.
2.2 Эффект Кондо.
2.3. Спинтронные приборы.
3. к Разделу 3 Актуальные проблемы создания твердотельных наноструктур и их применение.
3.1.Трехмерная графеновая электроника.
3.2. Самосборка при эпитаксии. Осаждение пленок Лэнгмюра-Блоджетт.
Самостоятельная работа студента. Темы рефератов.
1.1. к Разделу 1 Актуальные проблемы получения и производства материалов наноэлектроники.
1.2. к Разделу 2 Актуальные проблемы наноэлектроники.
1.3. к Разделу 3 Актуальные проблемы создания твердотельных наноструктур и их применение.
Контрольные вопросы по курсу.
Библиографический список.
