Технология изготовления светодиодных кристаллов. Полупроводниковые наногетероструктуры

Настоящее методическое указание по практической работе студентов составлены с учетом требований Федерального Государственного образовательного стандарта высшего образования (ФГОС ВО) по направлению подготовки 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств». Методическое указание по практической работе предназначено для магистрантов, изучающих специальные дисциплины «Технология изготовления светодиодных кристаллов», «Полупроводниковые наногетероструктуры» и содержит список тем, отводимых на практическое изучение. В изучении материалов данных методических указаний, магистранты должны расширить свои знания по изучаемым дисциплинам, а также данное методическое указание направлено на формирования у магистрантов следующих знаний, умений и навыков: знать Методы получения полупроводникового материала, методы формирования омических контактов и методы контроля параметров светодиодных кристаллов; методы изготовления и контроля основных параметров полупроводниковых наногетероструктур мировые достижения в данной области; уметь Осуществлять контроль параметров светодиодных кристаллов; контролировать и анализировать основные электрические, оптические и механические параметры полупроводниковых наногетероструктур; владеть Навыками контроля параметров светодиодных кристаллов; навыками контроля и анализа основных параметров полупроводниковых наногетероструктур, сопоставления параметров с мировым достижениями в данной области и оценку применимости в технологическом процессе изготовления светодиодных кристаллов и светодиодов на их основе.