Измерение ширины запрещенной зоны полупроводника методом температурного сканирования

Данное учебно-методическое пособие является неотъемлемой частью комплекта учебно-методического комплекса для изучения дисциплин, связанным с изучением приборов оптоэлектроники, фотоники и т.п. Оно содержит теорию и методику измерения фундаментальных параметров полупроводников на примере измерения ширины запрещенной зоны полупроводника в приборах оптоэлектроники. В пособии приведено краткая теория происхождения запрещенной зоны в энергетическом спектре полупроводника и её экспериментального измерения из зависимости обратного тока диффузионного p-n перехода от температуры образца с использованием поворота системы координат у вольтамперной характеристики. Приведены аналитические выражения для нахождения среднего значения ширины запрещенной зоны по обратной ветки при разных температурах. Описана экспериментальная установка для измерения ширины запрещенной зоны. Изложена методология её нахождения по изменению обратного тока.