Полупроводниковые наногетероструктуры

Настоящее методическое указание по самостоятельной работе студентов составлены с учетом требований Федерального Государственного образовательного стандарта высшего образования (ФГОС ВО) по направлению подготовки 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств. Методическое указание по самостоятельной работе предназначено для магистрантов, изучающих специальные дисциплины «Полупроводниковые наногетероструктуры» и содержит список тем, отводимых на самостоятельное изучение. В изучении материалов данных методических указаний, магистранты должны расширить свои знания по изучаемым дисциплинам, а также данное методическое указание направлено на формирования у магистрантов следующих знаний, умений и навыков: знать методы изготовления и контроля основных параметров полупроводниковых наногетероструктур мировые достижения в данной области; уметь контролировать и анализировать основные электрические, оптические и механические параметры полупроводниковых наногетероструктур владеть навыками контроля и анализа основных параметров полупроводниковых наногетероструктур, сопоставления параметров с мировым достижениями в данной области и оценку применимости в технологическом процессе изготовления светодиодных кристаллов и светодиодов на их основе.