Сайты ТУСУРа

Изучение фотопроводимости полупроводников и определение времени жизни неравновесных носителей заряда

Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»

В методических указаниях кратко изложена теория фотопроводимости полупроводников при импульсном освещении. Даны понятия генерации, рекомбинации равновесных, неравновесных носителей заряда, их времени жизни. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники»

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Изучение фотопроводимости полупроводников и определение времени жизни неравновесных носителей заряда: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова, С. А. Артищев. — Томск: ТУСУР, 2022. — 11 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9954
Год издания: 2022
Количество страниц: 11
Скачиваний: 89

Оглавление (содержание)

Введение……………………………………………………………………......................... 4

1 Фотопроводимость при импульсном освещении………………………..………. 4

2 Описание установки для измерения кривых релаксаций

фотопроводимости……………………………………………………………..….…….…... 7

3 Методика измерения времени жизни неравновесных носителей

заряда……………………………………………………………..………….…….....………... 9

4 Задание………..………………………………………………..…………………..…….... 10

5 Контрольные вопросы……………………………………….…………………...…….. 11

Список рекомендуемой литературы…..…………………………………………....… 11