Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов

Данное учебно-методическое пособие является неотъемлемой частью комплекта учебно-методического комплекса для изучения дисциплин, связанным с изучением приборов оптоэлектроники, фотоники и т.п. Оно содержит теорию и методику измерения фотопроводимости в полупроводниковом фоторезисторе, возникающей в образце полупроводника при освещении излучением из собственной полосы поглощения. В пособии приведено краткая теория возникновения фотопроводимости при освещении. Приведены выражения для частотных и полевых зависимостей с учетом как эффекта инерционности неравновесного заряда в объеме полупроводника. Описана экспериментальная установка для измерения характеристик собственной фотопроводимости, как в темноте, так и при наличии фоновой засветки. Изложена методология нахождения параметров фоторезистора.