Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Исследование резистивного элемента на основе поликристаллической пленки полупроводникового соединения AIIBVI

Методическое пособие к лабораторной работе

Для создания элементов электронной техники широко используют электро-технические материалы, находящиеся в различных состояниях: аморфные, поликристаллические, сплавы, кристаллы и т.д. Среди этих состояний кристаллические материалы, как правило, используют для изготовления прецезионной аппаратуры, высокочувствительных резисторов, конденсаторов и других элементов. Применение в качестве рабочего вещества элемента электронной техники кристаллов позволяет получать элементы, в которых в нужной пропорции сочетаются различные физические свойства выбранного кристалла, что позволяет создавать элементы с принципиально новыми функциональными свойствами.

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Давыдов, В. Н. Исследование резистивного элемента на основе поликристаллической пленки полупроводникового соединения AIIBVI: Методическое пособие к лабораторной работе [Электронный ресурс] / Давыдов В. Н. — Томск: ТУСУР, 2017. — 27 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/6871.
Автор:   Давыдов В. Н.
Год издания: 2017
Количество страниц: 27
Скачиваний: 95

Оглавление (содержание)

1. Введение………………………………………………………………………......3

2. Теоретическая часть…………………………………………………………….3

2.1. Основные понятия и параметры………………………………….……...4

2.2. Фотопроводимость полупроводников. Собственная и примесная фотопроводимость…7

2.3. Полевые свойства фотопроводимости………………………….…….12

2.4. Частотные свойства фотопроводимости………………………….…..17

3. Вопросы для самостоятельной проверки знаний…………………… 19

4. Экспериментальная часть

4.1. Описание экспериментальной установки……………………………20

4.2. Задание к лабораторной работе………………………………………..20

4.3 Методические указания к выполнению работы…………………….22

4.4. Порядок выполнения работы…………………………………………....24

5. Требования к составлению и оформлению отчета………………….26

6. Литература…...…………………………………………………………………..27