Исследование полупроводниковых стабилитронов

Исследование полупроводниковых стабилитронов: методические указания к лабораторной работе для студентов специальности 210601.65 - Радиоэлектронные системы и комплексы / С.И. Арестов, А.С. Шангин; Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра электронных приборов. - Томск: ТУСУР, 2014. - 15 с. Целью настоящей работы является закрепление теоретических знаний студентами. В работе исследуются прямые и обратные характеристики полупроводникового стабилитрона при комнатной и повышенной температурах. Исследуется область стабилизации диода, измеряются дифференциальные сопротивления стабилитрона в области стабилизации, а также на прямой ветви вольт-амперной характеристик, Вычисляется температурный коэффициент напряжения и коэффициент стабилизации. Пособие предназначено для студентов специальности 210601.65 - Радиоэлектронные системы и комплексы по дисциплине «Электроника 2. Электронные приборы».