Исследование полупроводниковых стабилитронов

Целью настоящей работы является закрепление теоретических знаний студентами. В работе исследуются прямые и обратные характеристики полупроводникового стабилитрона при комнатной и повышенной температурах. Исследуется область стабилизации диода, измеряются дифференциальные сопротивления стабилитрона в области стабилизации, а также на прямой ветви вольт-амперной характеристик, Вычисляется температурный коэффициент напряжения и коэффициент стабилизации. Пособие предназначено для студентов очной и заочной формы, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» и «Электроника и наноэлектроника» (специальность «Электронные приборы и устройства») по дисциплине «Твердотельные устройства», «Твердотельные приборы» и «Твердотельные приборы и устройства», «Компоненты электронных схем».