Сайты ТУСУРа

Физика полупроводниковых приборов

Методические указания к практическим занятиям и к самостоятельной работе

В учебно-методическом пособии даны рекомендации по подготовке к практическим занятиям и по организации самостоятельной работы. Дисциплина «Физика полупроводниковых приборов» предлагается к изучению студентам бакалавриата «Инноватика» для формировании профессиональных знаний в области физики полупроводниковых приборов как основы возможных инновационных проектов в качестве разработок НИОКР.

Кафедра управления инновациями

Библиографическая запись:

Дробот, П. Н. Физика полупроводниковых приборов: Методические указания к практическим занятиям и к самостоятельной работе [Электронный ресурс] / П. Н. Дробот. — Томск: ТУСУР, 2018. — 22 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/8903
Автор:   Дробот П. Н.
Год издания: 2018
Количество страниц: 22
Скачиваний: 34

Оглавление (содержание)

Введение 3

Материально-техническое обеспечение для практических занятий и самостоятельной работы 4

Прием выполненных практических заданий 6

Тема занятий 1 – «Полупроводниковые приборы на основе однородных полупроводников». 8

Практическое занятие с указаниями по самостоятельной работе «Изучение некоторых свойств полупроводниковых терморезисторов. Изучение спектральных и частотных характеристик фотопроводимости полупроводниковых фотосопротивлений» 8

Тема занятий 2 «Потенциальные барьеры в полупроводниковых приборах». Практическое занятие с указаниями по самостоятельной работе 1. Изучение вольт – амперной характеристики p-n - перехода и ее зависимости от температуры. 10

Тема занятий 3 «Полупроводниковые диоды» 13

Практическое занятие с указаниями по самостоятельной работе «Изучение свойств полупроводниковых варикапов с p-n переходом. Характеристики и параметры полупроводникового стабилитрона. Исследование характеристик полупроводниковых СВЧ диодов. Исследование свойств полупроводниковойсолнечной» 13

Тема занятий 4 «Транзисторы» 15

Практическое занятие с указаниями по самостоятельной работе «Измерение и рсчет h – параметров биполярного транзистора. Изучение частотной зависимости коэффициента усиления по току биполярного транзистора» 15

Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины 19


Похожие пособия