Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Интегральные устройства радиоэлектроники. Элементы кремниевых биполярных ИС

Руководство к лабораторной работе

Рассмотрены элементы кремниевых биполярных ИС на примере структур, изготовленных по классической эпитаксиально – планарной технологии.

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Романовский, М. Н. Интегральные устройства радиоэлектроники. Элементы кремниевых биполярных ИС: Руководство к лабораторной работе [Электронный ресурс] / М. Н. Романовский. — Томск: ТУСУР, 2010. — 15 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/336
Год издания: 2010
Количество страниц: 15
Скачиваний: 275

Оглавление (содержание)

Введение

Активные элементы ИС

Определение режимов диффузии

Диффузионные резисторы

Диффузионные конденсаторы

Расчет пробивного напряжения переходов

Объект исследования

Задание

Контрольные вопросы

Рекомендуемая литература