Микроволновые приборы и устройства

Предисловие

Введение

Глава 1. Общие физические процессы в микроволновых приборах

1.1 Основные уравнения для анализа процессов

1.2 Время и угол пролета

1.3 Пространственно-временные диаграммы

1.4 Ток во внешней цепи МВП. Уравнение и форма наведенного тока

1.5 Наведенный ток модулированным потоком

1.6 Отбор энергии от движущихся носителей заряда

1.7 Управление электронным потоком

Глава 2. Электродинамические системы приборов СВЧ

2.1 Резонаторы

2.2 Замедляющие системы, параметры и характеристики их

2.3 Типы замедляющих систем

2.4 Применение СВЧ-нагрева

Глава 3. Электроннооптические системы приборов СВЧ

3.1 Требования к электронной пушке

3.2 Обзор пушек ЭОС

3.3 Поперечно ограничивающая система

Глава 4. Общие вопросы генераторов и усилителей

4.1 Эквивалентная схема генераторов и усилителей с резонансной колебательной системой

4.2 Влияние электронной проводимости на работу генераторов с резонансной колебательной системой

4.3 Влияние внешней нагрузки на мощность и частоту генерации

4.4 Нагрузочные характеристики МВП

4.5 Основные параметры и характеристики МВП

Глава 5. Клистроны

5.1 Пролетный клистрон

5.2 Воздействие поля первого резонатора на электронный поток

5.3 Конвекционный ток в пространстве дрейфа

5.4 Гармонический состав конвекционного тока

5.5 Электронный КПД пролетного клистрона

5.6 Усилительный пролетный клистрон

5.7 Пролетные генераторные клистроны

5.8 Двухрезонаторный клистрон-умножитель частоты

5.9 Многорезонаторные пролетные клистроны

5.10 Отражательные клистроны

Глава 6. Лампы бегущей волны и лампы обратной волны — типа О

6.1 Схема устройства и принцип действия ЛБВО

6.2 Взаимодействия поля волны с электронами в «горячем» режиме ЛБВО (линейное приближение)

6.3 Коэффициент усиления ЛБВ

6.4 Коэффициент полезного действия (КПД) ЛБВО

6.5 Характеристики ЛБВО

6.6 Лампа обратной волны типа О (ЛОВО

Глава 7. Магнетроны — резонансные приборы типа М

7.1 Устройство магнетрона

7.2 Движение электронов в скрещенных полях

7.3 Виды колебаний в магнетроне

7.4 Формирование электронных сгустков. Условие синхронизма в магнетроне

7.5 Электронный КПД магнетрона

7.6 Рабочие характеристики магнетрона

7.7 Коаксиальные и обращенные магнетроны

7.8 Магнетроны, настраиваемые напряжением

Глава 8. Нерезонансные приборы типа М

8.1 Платинотроны

8.2 Усилители на ЛБВ типа М (ЛБВМ)

8.3 Генератор на ЛОВМ

Глава 9. Микроволновые полупроводниковые приборы и устройства различного назначения

9.1 Полупроводниковые СВЧ-диоды с положительным дифференциальным сопротивлением

9.1.1 Параметры СВЧ-диодов

9.1.2 Детекторные и смесительные диоды

9.1.3 Управляющие (переключательные) диоды

9.2 Диоды с отрицательным дифференциальным сопротивлением

9.2.1 Туннельные диоды

9.2.2 Лавинно-пролетный диод

9.2.3 Диоды Ганна

9.3 Полупроводниковые СВЧ-транзисторы

9.3.1 Биполярные транзисторы

9.3.2 Полевые транзисторы СВЧ

9.3.3 Микроволновые устройства на транзисторах

Список сокращений и условных обозначений параметров

Литература

Приложение А. Основные параметры полупроводниковых материалов при Т = 300 K

Приложение Б. Справочные данные по функциям Бесселя

Приложение В. Классификация и условное обозначение твердотельных МВП

Приложение Г. Параметры диодов Ганна и ЛПД