Исследование барьерной фотоэдс в диффузионных p-n переходах

1. ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………….….........3

2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ……………………………………………......….……. 3

2.1. Фотовольтаические эффекты в полупроводниках ……………………..3

2.2. Квазиуровни Ферми в полупроводнике………………………………......6

2.3. Электронно-дырочные переходы………………………………….....……..7

2.4. Барьерная фотоэдс…………………………………………….........…….....10

2.5. Полевые свойства барьерной фотоэдс……………………………..…...13

2.6. Частотные свойства барьерной фотоэдс………………………..………14

3. ВОПРОСЫ ДЛЯ САMОСТОЯТЕЛЬНОЙ ПРОВЕРКИ ЗНАНИЙ…….….16

4. ЭКСПЕРИMЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ………………………………………....…….17

4.1. Описание экспериментальной установки……...……………………….17

4.2. Задание к лабораторной работе……………………….....……………….18

4.3. Методические указания к выполнению работы……………..………..18

4.4. Порядок выполнения работы…………………..........…………….………19

4.4.1 Измерение частотных зависимостей фотоэдс……...……......…...20

4.4.2 Измерение полевых зависимостей фотоэдс………………......…..20

6. ТРЕБОВАНИЯ К СОСТАВЛЕНИЮ И ОФОРМЛЕНИЮ

ОТЧЕТА..…………………………………………………….............………………...21

7. ЛИТЕРАТУРА.…………………………………………………........……………….22