Исследование барьерной фотоэдс в диффузионных p-n переходах

СОДЕРЖАНИЕ

1 ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………......................…… 3

2 ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ…………………………………………….…...............…. 4

2.1 Фотовольтаические эффекты в полупроводниках.…………..........…….. 4

2.2 Квазиуровни Ферми в полупроводнике…………………………................. 6

2.3 Электронно-дырочные переходы……………………………...............………. 8

2.4 Барьерная фотоэдс………………………………………………...................….......11

2.5 Полевые свойства барьерной фотоэдс………………………..........…….... 14

2.6. Частотные свойства барьерной фотоэдс……………………...........……… 15

3 КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ……………………………………….……..............…. 16

4 ЭКСПЕРИMЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ……………………………………….............….. 18

4.1 Описание экспериментальной установки………………….....…….......…. 18

4.2 Задание к лабораторной работе………………………………......….........….. 19

4.3 Методические указания к выполнению работы…………………............. 19

4.4 Порядок выполнения работы………………………….…………….................. 20

4.4.1 Измерение частотных зависимостей фотоэдс……...…..................….. 21

4.4.2 Измерение полевых зависимостей фотоэдс………………................… 21

5 ТРЕБОВАНИЯ К СОСТАВЛЕНИЮ И ОФОРМЛЕНИЮ ОТЧЕТА.………..... 22

6 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ……………………………………………....................…...... 23