Исследование барьерной фотоэдс в диффузионных p-n переходах

Данное учебно-методическое пособие является неотъемлемой частью комплекта учебно-методического комплекса для изучения дисциплин, связанным с изучением приборов оптоэлектроники, фотоники и т.п. Оно содержит теорию и методику измерения барьерной фотоэдс, возникающей в диффузионных переходах при их освещении излучением из собственной полосы поглощения. В пособии приведено краткая теория возникновения барьерной фотоэдс прои освещении. Приведены выражения для частотных и полевых зависимостей с учетом как эффекта инерционности неравновесного заряда в переходе, так и эффекта расширения области пространственного заряда при приложении запорного напряжения смещения. Описана экспериментальная установка для измерения характеристик барьерной фотоэдс как в темноте, так и при наличии фоновой засветки. Изложена методология нахождения параметров p-n перехода