Сайты ТУСУРа

Исследование насыщенного транзисторного ключа

Руководство к лабораторной работе

Руководство к лабораторной работе рекомендовано для обучения по дисциплинам: «Физические основы электроники», «Электроника», «Физические основы микроэлектроники», «Основы электроники» для студентов направлений подготовки: 11.03.01 (Радиотехника), 11.03.02 (Инфокоммуникационные технологии и системы связи).

Кафедра телевидения и управления

Библиографическая запись:

Заболоцкий, А. М. Исследование насыщенного транзисторного ключа: Руководство к лабораторной работе [Электронный ресурс] / А. М. Заболоцкий, В. А. Шалимов. — Томск: ТУСУР, 2018. — 18 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/7988
Год издания: 2018
Количество страниц: 18
Скачиваний: 367

Оглавление (содержание)

Введение.................................................................................................2

1. Общее описание работы ключа на биполярных транзисторах............2

2. Описание лабораторного макета.......................................................10

3. Порядок выполнения работы.............................................................12

4. Расчет насыщенного ключа на биполярном транзисторе..................14

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ...........................................................................17