Определение ширины запрещенной зоны полупроводника методом измерения обратных токов электроннодырочного перехода

Руководство к лабораторной работе

В работе изучается образование p-n перехода, его вольтамперная характеристика. По зависимости обратного тока от температуры определяется ширина запрещенной зоны полупроводника. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микро- и наноэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.03 - «Конструирование и технология электронных средств».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника методом измерения обратных токов электроннодырочного перехода: Руководство к лабораторной работе [Электронный ресурс] / М. М. Славникова. — Томск: ТУСУР, 2018. — 9 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/7834
Год издания: 2018
Количество страниц: 9
Скачиваний: 29

Оглавление (содержание)

1. Введение 2

2. Энергетический спектр электронов в кристалле 2

3. Электронно-дырочный переход 5

4. Описание установки 8

5. Порядок выполнения работы 8

6. Контрольные вопросы 9

7. Рекомендуемая литература 9