Твердотельная электроника

1. Введение

1.1. Цели, задачи и предмет курса "Твердотельная электроника"

1.2. Краткая историческая справка

1.3. Современное состояние и перспективы развития электроники

2. Физические основы твердотельной электроники

2.1. Элементы зонной теории полупроводников

2.2. Параметры, характеризующие свойства полупроводниковых материалов

2.3. Фундаментальная система уравнений твердотельной электроники

2.4. Собственные, примесные и компенсированные полупроводники

2.5. Диапазон рабочих температур полупроводниковых приборов

2.6. Равновесные и неравновесные носители зарядов в полупроводниках. Основные и неосновные носители. Закон действующих масс

2.7. Полупроводники в электрическом поле

2.8. Генерация и рекомбинация носителей в полупроводниках

2.9. Уравнение электронейтральности

2.10. Явления на поверхности полупроводников

3. Контакты металл-полупроводник. Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником

3.1. Введение

3.2. Энергетическая диаграмма выпрямляющего контакта металл-полупроводник

3.3. Принцип выпрямления тока на контакте металл-полупроводник по энергетическим диаграммам

3.4. Вольтамперная характеристика выпрямляющего контакта металл-полупроводник

3.5. Расчет напряженности поля и потенциала на контакте металл-полупроводник. Ширина области пространственного заряда

3.6. Диод Шоттки: структура, эквивалентная схема, параметры эквивалентной схемы. Модель диода Шоттки

3.7. Эффект Шоттки

3.8. Достоинства и недостатки диода Шоттки

3.9. Омические контакты и их параметры

4. Электронно-дырочные переходы

4.1. Виды электронно-дырочных переходов при контакте полупроводников

4.2. Механизм образования ЭДП. Определение ЭДП

4.3. Контактная разность потенциалов o k j . Зависимость o k j от температуры, ширины запрещенной зоны, концентрации легирующей примеси

4.4. Потоки носителей зарядов в ЭДП по энергетическим диаграммам. Одностороння проводимость p-n перехода

4.5. Некоторые понятия и определения по ЭДП

4.6. Методы получения ЭДП

4.7. Расчет напряженности электрического поля и потенциала в ЭДП. Ширина ОПЗ для резкого и плавного переходов

4.8. Вольтамперная характеристика идеального ЭДП. Диоды с "толстой" и "тонкой" базами

4.9. Вольтамперная характеристика реального ЭДП

4.10. Явления в ЭДП при высоком уровне инжекции

4.11. Диффузионная и барьерная емкости ЭДП

4.12. Эквивалентная схема ЭДП. Параметры эквивалентной схемы

4.13. Полная проводимость p-n перехода. Зависимость параметров от частоты

4.14. Переходные процессы в ЭДП

4.15. Зависимость выпрямляющих свойств ЭДП от частоты

4.16. Пробой электронно-дырочного перехода

4.17. Зависимость параметров ЭДП от температуры

4.18. Зарядоуправляемая модель ЭДП

4.19. Гетеропереходы

5. Диоды на основе электронно-дырочных переходов

5.1. Классификация и маркировка диодов

5.2. Выпрямительные диоды. Выпрямительные столбы и блоки

5.3. Универсальные и импульсные диоды

5.4. СВЧ-диоды

5.5. Варикапы

5.6. Стабилитроны. Лавинно-пролетные диоды

5.7. Туннельные и обращенные диоды

5.8. Фотодиоды

5.9. Светодиоды

5.10. Оптопары

6. Биполярные транзисторы

6.1. Общие сведения о биполярных транзисторах (БТ)

6.2. Потоки носителей зарядов в БТ

6.3. Внутренние и внешние параметры БТ

6.4. Статические параметры

6.5. Явления в БТ при больших токах

6.6. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением (эффект Эрли)

6.7. Пробой транзистора

6.8. Статические характеристики

6.9. Динамический режим работы

6.10. Усилительные свойства

6.11. Частотные параметры

6.12. Эквивалентная схема биполярного транзистора

6.13. Системы z, y и h-параметров

6.14. Модели биполярного транзистора

6.15. Некоторые разновидности биполярных транзисторов

6.16. Основные параметры биполярных транзисторов и их ориентировочные значения

6.17. Маркировка транзисторов

7. Тиристоры

8. Полевые транзисторы

8.1. Полевые транзисторы с управляемым p-n переходом

8.2. Дифференциальные параметры

8.3. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник

8.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором

8.5. Импульсный режим полевых транзисторов

9. Сенсоры, датчики, преобразователи

9.1. Датчики температуры

9.1.1. Терморезисторы

9.1.2. Диоды, как датчики температуры

9.1.3.Транзисторы, как датчики температуры

9.2. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи

9.3. Датчики магнитного поля. Преобразователи.

9.3.1. Магниторезисторы

9.3.2. Магнитодиоды

9.3.3. Биполярные магниторезисторы

Список литературы