Сайты ТУСУРа

Тонкие пленки в микроэлектронике

Учебное пособие

Тонкие пленки металлов, диэлектриков и полупроводников находят широкое применение во многих областях техники и, прежде всего в микро– и наноэлектронике. Физические процессы в тонких пленках протекает иначе, чем в массивных материалах. В результате пленочные элементы имеют характеристики, отличные от характеристик массивных образцов и позволяют наблюдать эффекты, не свойственные массивным образцам. Удельное сопротивление резистивных пленок значительно выше, а температурный коэффициент сопротивление может отличаться не только по величине, но и по знаку. В пленках нанометрового диапазона проявляются размерные и квантовые эффекты. Эти отличительные свойства определяются структурой пленки, которая формируется на этапах зарождения и роста пленок. Второй раздел настоящего пособия посвящен рассмотрению процессов зарождения и роста пленок и влиянию условий на подложке на эти процессы. В остальных разделах пособия рассматриваются свойства пленок различного состава, которые отличают их от свойств массивных материалов. Данное учебное пособие написано в соответствии с требованиями курса «Тонкие пленки в микроэлектронике», предусмотренного учебным планом специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника». Оно может быть также полезно студентам других специальностей связанным с использованием тонких пленок различных материалов.

Кафедра физической электроники

Библиографическая запись:

Смирнова, К. И. Тонкие пленки в микроэлектронике: Учебное пособие [Электронный ресурс] / К. И. Смирнова. — Томск: ТУСУР, 2007. — 94 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/549
Автор:   Смирнова К. И.
Год издания: 2007
Количество страниц: 94
Скачиваний: 449

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Зарождение и рост тонких пленок

2.1. Формирование молекулярного потока

2.2. Конденсация атомов

2.2.1. Адсорбция газов на подложке

2.2.2. Механизм конденсации пар – кристалл (П – К)

2.2.3. Механизм конденсации пар – жидкость – кристалл (П–Ж–К)

2.2.4. Влияние температуры подложки на механизм конденсации

2.3. Распределение сконденсированных атомов на подложке

2.4. Зародышеобразование в тонких пленках

2.4.1. Термодинамическая теория зародышеобразования

2.4.2. Статистическая теория зародышеобразования

2.5. Рост зародышей и формирование сплошных пленок

2.6. Влияние условий на подложке на процесс зародышеобразования и роста пленок

2.6.1. Влияние температуры подложки и плотности потока пара

2.6.2. Роль несовершенств подложки

2.6.3. Роль кинетической энергии конденсированных атомов

2.6.4. Влияние примесей на подложке

3. Проводящие пленки

3.1. Электропроводность сплошных пленок

3.1.1. Свойства сплошных проводящих пленок

3.1.2. Влияние толщины пленок на удельное сопротивление

3.2. Электропроводность островковых металлических пленок

3.2.1. Структура островковых пленок

3.2.2. Туннельный эффект островковых пленок

3.2.3. Влияние подложки на электропроводность островковых пленок

3.2.4. Термоэлектронная эмиссия островковых пленок

4. Резистивные пленки

4.1. Основные параметры резистивных пленок

4.2. Резистивные пленки металлов, сплавов и соединений

4.3. Композиции на основе металлов и диэлектриков

4.4. Композиции на основе пленок металлов и полупроводников

4.5. Механизм проводимости резистивных пленок

Литература



Похожие пособия