Тонкие пленки в микроэлектронике

1. Введение

2. Зарождение и рост тонких пленок

2.1. Формирование молекулярного потока

2.2. Конденсация атомов

2.2.1. Адсорбция газов на подложке

2.2.2. Механизм конденсации пар – кристалл (П – К)

2.2.3. Механизм конденсации пар – жидкость – кристалл (П–Ж–К)

2.2.4. Влияние температуры подложки на механизм конденсации

2.3. Распределение сконденсированных атомов на подложке

2.4. Зародышеобразование в тонких пленках

2.4.1. Термодинамическая теория зародышеобразования

2.4.2. Статистическая теория зародышеобразования

2.5. Рост зародышей и формирование сплошных пленок

2.6. Влияние условий на подложке на процесс зародышеобразования и роста пленок

2.6.1. Влияние температуры подложки и плотности потока пара

2.6.2. Роль несовершенств подложки

2.6.3. Роль кинетической энергии конденсированных атомов

2.6.4. Влияние примесей на подложке

3. Проводящие пленки

3.1. Электропроводность сплошных пленок

3.1.1. Свойства сплошных проводящих пленок

3.1.2. Влияние толщины пленок на удельное сопротивление

3.2. Электропроводность островковых металлических пленок

3.2.1. Структура островковых пленок

3.2.2. Туннельный эффект островковых пленок

3.2.3. Влияние подложки на электропроводность островковых пленок

3.2.4. Термоэлектронная эмиссия островковых пленок

4. Резистивные пленки

4.1. Основные параметры резистивных пленок

4.2. Резистивные пленки металлов, сплавов и соединений

4.3. Композиции на основе металлов и диэлектриков

4.4. Композиции на основе пленок металлов и полупроводников

4.5. Механизм проводимости резистивных пленок

Литература