Исследование частотных свойств биполярного транзистора

Исследование частотных свойств биполярного транзистора: методические указания к лабораторной работе для студентов специальности 210601.65 - Радиоэлектронные системы и комплексы / / С.И. Арестов, А.С. Шангин; Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра электронных приборов. - Томск: ТУСУР, 2014. - 16 с. Целью данной работы является ознакомление с частотными свойствами биполярного транзистора и методикой их измерений. Биполярные транзисторы являются наиболее распространенными активными элементами современной полупроводниковой электроники. Биполярные транзисторы являются основными элементами большей части полупроводниковых интегральных схем (ИС) (операционных усилителей, цифровых ИС на основе транзисторно-транзисторной, эмиттерно-связанной логики, схем с инжекционным питанием и др.). Среди важнейших характеристик биполярного транзистора находятся частные зависимости его основных параметров от рабочей частоты, предельные частоты усиления и генерации. Пособие предназначено для студентов очной формы и заочной формы обучения, обучающихся по специальности 210601.65 - Радиоэлектронные системы и комплексы по дисциплине «Электроника 2. Электронные приборы».