Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Определение энергетических характеристик полупроводникового инжекционного лазера

Методические указания к лабораторной работе

Целью работы является ознакомление с работой инжекционного полупроводникового лазера и методикой измерения его энергетических параметров, а также их вычисление на основе экспериментальных данных. Пособие предназначено для студентов очной формы и заочной формы обучения, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» (специальность «Электронные приборы и устройства») по дисциплине «Квантовые и оптоэлектронные приборы и устройства».

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Квасница, М. С. Определение энергетических характеристик полупроводникового инжекционного лазера: Методические указания к лабораторной работе [Электронный ресурс] / М. С. Квасница. — Томск: ТУСУР, 2012. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/2492
Автор:   Квасница М. С.
Год издания: 2012
Количество страниц: 10
Скачиваний: 118

Оглавление (содержание)

1 Введение

2 Теоретическая часть

2.1 Принцип работы инжекционного полупроводникового лазера

2.2 Энергетические параметры инжекционного лазера

2.3 Контрольные вопросы

3 Экспериментальная часть

3.1 Оборудование

3.2 Задание

3.3 Методические указания по выполнению работы

3.4 Содержание отчета

Список литературы


Похожие пособия