Исследование характеристик полупроводниковых лазеров

Руководство к комплексной компьютерной лабораторной работе для студентов специальности «Информационная безопасность телекоммуникационных систем» 090106

Целью работы является ознакомление с методикой расчета электрических параметров полупроводникового лазера, а также их экспериментальных определений. В работе проводится исследование динамических характеристик полупроводниковых лазеров. Проведение лабораторной работы на компьютере позволяет охватить целый комплекс вопросов, порой таких, которые трудно воспроизвести техническими средствами. Обозначения и диапазон параметров для GaAs и GaAlAs/GaAs приведены в приложении П1, П2, П3.

Кафедра сверхвысокочастотной и квантовой радиотехники

Библиографическая запись:

Шангина, Л. И. Исследование характеристик полупроводниковых лазеров: Руководство к комплексной компьютерной лабораторной работе для студентов специальности «Информационная безопасность телекоммуникационных систем» 090106 [Электронный ресурс] / Л. И. Шангина. — Томск: ТУСУР, 2011. — 21 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/223
Автор:   Шангина Л. И.
Год издания: 2011
Количество страниц: 21
Скачиваний: 3

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Основные вопросы теории

2.1. Требования к основным параметрам лазера

2.2. Общие сведения о полупроводниковых инжекционных лазерах

2.3. Основные параметры инжекционного лазера

3. Расчетное задание

4. Экспериментальная часть

4.1. Вольт - амперная характеристика (ВАХ)

4.2. Спектральные параметры

4.3. Определение диаграммы направленности и угловой расходимости

5. Содержание отчета

6. Контрольные вопросы

7. Список литературы

Приложения

П 1. Обозначения и диапазон параметров для GaAs и GaAlAs/GaAs

П 2. Условные обозначения параметров, их пределы и формулы при расчете спектральных характеристик

П 3. Условные обозначения и диапазон параметров для определения диаграммы направленности и расходимости

П 4. Варианты заданий для лабораторной работы


Похожие пособия