Top.Mail.Ru
Научно-образовательный портал ТУСУР | Измерение h-параметров транзисторов: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Агафонников В. Ф. — 2012. 10 с.
Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Измерение h-параметров транзисторов

Методические указания по выполнению лабораторной работы

Транзистор представлен в реальных схемах как линейный активный четырехполюсник, параметры которого связаны с собственными параметрами транзистора. Предлагается изучить зависимость параметров транзисторов от режима смещения: коэффициента передачи тока эмиттера, сопротивления базы, сопротивления коллектора.

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Агафонников, В. Ф. Измерение h-параметров транзисторов: Методические указания по выполнению лабораторной работы [Электронный ресурс] / В. Ф. Агафонников. — Томск: ТУСУР, 2012. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1295
Автор:   Агафонников В. Ф.
Год издания: 2012
Количество страниц: 10
Скачиваний: 223

List icon

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

Похожие пособия

Изучение статических характеристик биполярного транзистора: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Агафонников В. Ф. — 2012. 15 с.

Изучение характеристик тиристоров: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Агафонников В. Ф. — 2012. 12 с.

Изучение переходных процессов в полупроводниковом диоде: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Агафонников В. Ф. — 2012. 12 с.

Измерение ширины базы триода: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Агафонников В. Ф. — 2012. 7 с.

Переходные процессы в полупроводниковых диодах: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Агафонников В. Ф. — 2012. 7 с.

  • Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
  • Address 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
  • Phone (3822) 51-05-30
  • Printer (3822) 51-32-62, 52-63-65
  • Email office@tusur.ru
  • Time Пн. – пт., 8:30 – 17:30, обед, 13:00 – 14:00