Изучение переходных процессов в полупроводниковом диоде

Методические указания по выполнению лабораторной работы

Рассмотрен режим работы полупроводникового диода в импульсном режиме, проанализировано уравнение непрерывности для дырок, инжектированных в n-область при низком уровне инжекции ( ∆p‹‹∆n ). Дано задание по определению эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода.

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Агафонников, В. Ф. Изучение переходных процессов в полупроводниковом диоде: Методические указания по выполнению лабораторной работы [Электронный ресурс] / В. Ф. Агафонников. — Томск: ТУСУР, 2012. — 12 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1297
Год издания: 2012
Количество страниц: 12
Скачиваний: 28


Похожие пособия