Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Изучение статических характеристик биполярного транзистора

Методические указания по выполнению лабораторной работы

Рассмотрены физические процессы, протекающие при работе биполярного транзистора в разных схемах его включения: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК). Показаны преимущества и недостатки для каждой из схем включения (ОБ, ОЭ, ОК).

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Агафонников, В. Ф. Изучение статических характеристик биполярного транзистора: Методические указания по выполнению лабораторной работы [Электронный ресурс] / В. Ф. Агафонников. — Томск: ТУСУР, 2012. — 15 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1299
Год издания: 2012
Количество страниц: 15
Скачиваний: 166

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Принцип действия биполярного транзистора в качестве усилителя

3. Статистические характеристики и коэффициент передачи тока в различных схемах включения

3.1 Схема с общей базой

3.2 Схема с общим эмиттером

4. Порядок выполнения работы

5. Задание

6. Вопросы для самопроверки

7. Рекомендуемая литература