Сайты ТУСУРа

Измерение ширины запрещенной зоны полупроводника методом температурного сканирования

Учебное - методическое пособие к лабораторной работе

Целью данной работы является ознакомление студентов с общим подходом к определению фундаментальных параметров полупроводниковых материалов, а также экспериментальное определение ширины запрещенной зоны полупроводников различного физико-химического состава методом температурного сканирования (методом экстракции неосновных носителей заряда).

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Давыдов, В. Н. Измерение ширины запрещенной зоны полупроводника методом температурного сканирования: Учебное - методическое пособие к лабораторной работе [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов. — Томск: ТУСУР, 2010. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1149
Автор:   Давыдов В. Н.
Год издания: 2010
Количество страниц: 10
Скачиваний: 23

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Теоретическая часть

2.1. Общий подход к измерению параметров полупроводника

2.2. Электропроводность полупроводниковых материалов

2.3. Контактные явления в полупроводниках

2.4. Методика определения ширины запрещенной зоны

2.5. Методика проведения эксперимента и обработки результатов

2.6. Контрольные вопросы

3. Экспериментальная часть

3.1. Задание к лабораторной работе

3.2. Порядок выполнения работы

3.3. Методические указания к выполнению работы

4. Требования к составлению и оформлению отчета

5. Литература


Похожие пособия