Сайты ТУСУРа

Физико-химические основы технологии электронных систем

Учебное пособие

В учебном пособии рассматриваются физико-химические основы технологических процессов производства электронных систем. Основное внимание уделяется рассмотрению теоретических закономерностей в процессах, связанных с современными методами формирования микроэлектронных структур: процессам очистки, легирования полупроводниковых структур, формированию проводящих и диэлектрических пленок, различным методам литографии. После каждого из разделов пособия приводятся контрольные вопросы для самопроверки усвоения полученных знаний. Учебное пособие предназначено для студентов специальностей «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» и «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств», а также может быть полезно студентам смежных специальностей, интересующимся вопросами современной технологии производства электронных систем.

Кафедра радиоэлектронных технологий и экологического мониторинга

Библиографическая запись:

Чикин, Е. В. Физико-химические основы технологии электронных систем: Учебное пособие [Электронный ресурс] / Е. В. Чикин. — Томск: ТУСУР, 2006. — 209 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/1130
Автор:   Чикин Е. В.
Год издания: 2006
Количество страниц: 209
Скачиваний: 72

Оглавление (содержание)

Введение

В.1 Этапы развития электроники

В.2 Классификация интегральных микросхем

В.3 Профильно-технологическая схема

В.4 Контрольные вопросы

1 Особенности полупроводниковых материалов

1.1 Некоторые свойства полупроводников

1.2 Индексы Миллера

1.3 Дефекты кристаллической решетки

1.4 Контрольные вопросы

2 Физико-химические основы поверхностных процессов и явлений

2.1 Термодинамика поверхностных процессов

2.2 Смачивание

2.3 Адсорбционные процессы

2.4 Адгезия

2.5 Контрольные вопросы

3 Физико-химические основы легирования полупроводников

3.1 Диффузионное легирование

3.1.1 Законы диффузии

3.1.2 Механизм диффузии

3.1.3 Факторы, влияющие на коэффициент диффузии

3.1.4 Техника выполнения диффузионного легирования

3.2 Ионная имплантация

3.2.1 Достоинства и недостатки ионной имплантации

3.2.2 Процессы взаимодействия ионов с веществом

3.2.3 Механизмы потерь энергии при взаимодействии иона с веществом

3.2.4 Распределение пробега имплантированных ионов в твердом теле

3.2.5 Каналирование ионов

3.2.6 Образование и отжиг радиационных дефектов

3.3 Радиационно-стимулированная диффузия

3.4 Контрольные вопросы

4 Физико-химические процессы очистки поверхности подложек

4.1 Виды загрязнений

4.2 Физические методы очистки

4.3 Механизм удаления поверхностных загрязнений

4.4 Химическая обработка подложек

4.5 Кинетика химического травления

4.6 Газовое травление

4.7 Термообработка

4.8 Контрольные вопросы

5 Физико-химические основы ионно-плазменного и плазмохимического травления

5.1 Механизм ионного травления

5.2 Коэффициент ионного распыления

5.3 Схема ионно-плазменного распыления

5.4 Триодная схема ИПТ

5.5 Ионно-лучевое травление

5.6 Плазмохимическое травление

5.7 Реактивное ионное травление

5.8 Контрольные вопросы

6 Физико-химические основы образования и роста тонких пленок

6.1 Термодинамическая модель механизма зарождения и роста пленок

6.2 Гетерогенное образование зародышей

6.3 Влияние технологических факторов на структуру пленок

6.4 Особенности роста пленок

6.5 Эпитаксиальное наращивание пленок

6.6 Молекулярно-лучевая эпитаксия

6.7 Контрольные вопросы

7 Физико-химические процессы формирования диэлектрических покрытий

7.1 Термическое окисление кремния

7.1.1 Кинетика процессов термического окисления кремния

7.1.2 Факторы, влияющие на скорость окисления кремния

7.1.3 Схема установки для термического оксидирования кремния

7.2 Химическое осаждение диэлектрических пленок

7.3 Плазмохимическое осаждение диэлектрических пленок

7.4 Реактивное ионно-плазменное осаждение пленок

7.5 Контрольные вопросы

8 Основы электрохимических процессов осаждения металлических пленок

8.1 Особенности электрохимического осаждения и растворения металлов

8.2 Механизм электрохимического осаждения

8.3 Влияние физико-химических факторов на структуру осаждаемых металлических пленок

8.4 Химическое осаждение металлических пленок

8.5 Контрольные вопросы

9 Физико-химические основы термовакуумного метода получения пленок

9.1 Схема термического вакуумного осаждения

9.2 Испарение вещества в вакууме

9.3 Пролет атомов от испарителя к подложке

9.4 Процессы конденсации испаряемого вещества на подложке

9.5 Контрольные вопросы

10 Физико-химические основы процессов получения пленок ионной бомбардировкой

10.1 Основы плазменных методов напыления пленок

10.2 Физическое катодное распыление

10.3 Реактивное катодное распыление

10.4 Ионно-плазменное распыление

10.5 Высокочастотное распыление

10.6 Магнетронные распылительные системы

10.7 Осаждение пленок термоионным методом

10.8 Ионно-кластерное осаждение пленок

10.9 Контрольные вопросы

11 Физико-химические основы фотолитографии

11.1 Сущность процесса фотолитографии

11.2 Фотохимические законы

11.3 Фотохимические реакции

11.4 Виды фоторезистов

11.5 Основные параметры фоторезистов

11.6 Получение изображения при фотолитографии

11.7 Контрольные вопросы

12 Физические основы элионных методов литографии

12.1 Электронная литография

12.2 Рентгеновская литография

12.3 Ионно-лучевая литография

12.4 Контрольные вопросы

Заключение

Литература