Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»
В методических указаниях кратко изложена теория электронно-дырочного перехода, природа обратного тока p – n перехода, зависимость этого тока от температуры и ширины запрещенной зоны полупроводника. Приведены методика измерений, порядок выполнения лабораторной работы, контрольные вопросы и список рекомендуемой литературы. Предназначено для студентов, изучающих курс «Физические основы микро- и наноэлектроники»
Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
Библиографическая запись:
Славникова, М. М. Определение ширины запрещенной зоны методом обратных токов p-n перехода: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова. — Томск: ТУСУР, 2022. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/9952
Оглавление (содержание)
Введение……………………………………………………………………………………. 4
1 Энергетический спектр электронов в кристалле….……………….…. 4
2 Электронно-дырочный переход…..………………………………………...... 6
3 Описание установки………………………………………….…………………….. 10
4 Порядок выполнения работы……….…………………………………………... 10
5 Контрольные вопросы……………………………………………….…………….…10
Список рекомендуемой литературы…………………………………………… 10
