Сайты ТУСУРа

Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов

Методические указания к лабораторной работе

Целью данной лабораторной работы является экспериментальное исследование студентами явления фотопроводимости и вычисление ее основных параметров. Поставленная цель достигается измерением основных характеристик, протекающих в фоторезисторе при его освещении оптическим излучением, модулированным гармоническим сигналом, для различных значений напряжения, приложенного к фоторезистору, а также вычисление параметров фоторезистора из полученных зависимостей.

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Давыдов, В. Н. Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов: Методические указания к лабораторной работе [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов. — Томск: ТУСУР, 2018. — 23 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/8691
Автор:   Давыдов В. Н.
Год издания: 2018
Количество страниц: 23
Скачиваний: 110

Оглавление (содержание)

1. Введение………………………………………………………………………………...............…3

2. Теоретическая часть………………………………………………………………….............…3

2.1. Основные понятия и параметры………………………………………………............3-6

2.2. Фотопроводимость полупроводников. Собственная

и примесная фотопроводимость………………………………..............………………...6-10

2.3. Полевые свойства фотопроводимости……………………………......…………..10-13

2.4. Частотные свойства фотопроводимости……………………………….......……..13-16

3. Вопросы для самостоятельной проверки знаний…………………………….……16-17

4. Экспериментальная часть……………………………………………………………...….17-22

4.1. Описание экспериментальной установки…………………………………….......17-19

4.2. Задание к лабораторной работе……………………………………………….........19-20

4.3 Методические указания к выполнению работы……………………………….....20-21

4.4. Порядок выполнения работы……………………………………………………........21-22

5. Требования к составлению и оформлению отчета………………………………...22-23

6. Литература………………………………………………………………………………...............23