Приборы и устройства СВЧ, КВЧ и ГВЧ диапазонов

Томск — 2012

Предисловие

Введение

Глава 1. Общие физические процессы в  приборах СВЧ, КВЧ, ГВЧ диапазонов

1.1 Основные уравнения для анализа процессов

1.2 Время и угол пролета

1.3 Пространственно-временные диаграммы

1.4 Ток во внешней цепи прибора. Уравнение и форма наведенного тока

1.5 Наведенный ток модулированным потоком

1.6 Отбор энергии от движущихся носителей заряда

1.7 Управление электронным потоком

Глава 2. Электродинамические системы приборов СВЧ, КВЧ и ГВЧ диапазонов

2.1 Резонаторы

2.2 Замедляющие системы, параметры и характеристики их

2.3 Типы замедляющих систем

2.4 Применение СВЧ-нагрева

Глава 3. Электроннооптические системы приборов

3.1 Требования к электронной пушке

3.2 Обзор пушек ЭОС

3.3 Поперечно ограничивающая система

Глава 4. Общие вопросы генераторов и усилителей

4.1 Анализ работы генераторов и усилителей с резонансной колебательной системой

4.2 Влияние электронной проводимости на работу генераторов с резонансной колебательной системой

4.3 Влияние внешней нагрузки на мощность и частоту генерации

4.5 Основные параметры и характеристики приборов

Глава 5. Клистроны

Клистроны используют как усилители ,генераторы, умножители частоты. Их разрабатывают для любого поддиапазона СВЧ, КВЧ и ГВЧ

5.1 Пролетный клистрон

5.2 Воздействие поля первого резонатора на электронный поток

5.3 Конвекционный ток в пространстве дрейфа

5.4 Гармонический состав конвекционного тока

5.5 Электронный КПД пролетного клистрона

5.6 Усилительный пролетный клистрон

5.7 Пролетные генераторные клистроны

5.8 Двухрезонаторный клистрон-умножитель частоты

5.9 Многорезонаторные пролетные клистроны

5.10 Отражательные клистроны

Глава 6. Лампы бегущей волны и лампы обратной волны — типа О

6.1 Схема устройства и принцип действия ЛБВО

6.2 Взаимодействия поля волны с электронами в «горячем» режиме ЛБВО (линейное приближение)

6.3 Коэффициент усиления ЛБВ

6.4 Коэффициент полезного действия ЛБВО

6.5 Характеристики ЛБВО

6.6 Лампа обратной волны типа О (ЛОВО)

Глава 7. Магнетроны — резонансные приборы типа М

7.1 Устройство магнетрона 179

7.2 Движение электронов в скрещенных полях

7.3 Виды колебаний в магнетроне

7.4 Формирование электронных сгустков. Условие синхронизма в магнетроне

7.5 Электронный КПД магнетрона

7.6 Рабочие характеристики магнетрона

7.7 Коаксиальные и обращенные магнетроны

7.8 Магнетроны, настраиваемые напряжением

Глава 8. Нерезонансные приборы типа М

8.1 Платинотроны

8.2 Усилители на ЛБВ типа М (ЛБВМ)

8.3 Генератор на ЛОВМ

Глава 9. Микроволновые полупроводниковые приборы и устройства различного назначения

9.1 Полупроводниковые СВЧ-диоды с положительным дифференциальным сопротивлением

9.1.1 Параметры СВЧ-диодов

9.1.2 Детекторные и смесительные диоды

9.1.3 Управляющие диоды

9.2 Диоды с отрицательным дифференциальным сопротивлением

9.2.1 Туннельные диоды

9.2.2 Лавинно-пролетный диод

9.2.3 Диоды Ганна

9.3 Полупроводниковые СВЧ-транзисторы

9.3.1 Биполярные транзисторы

9.3.2 Полевые транзисторы СВЧ

9.3.3 Микроволновые устройства на транзисторах

Список сокращений и условных обозначений параметров

Литература

Приложение А Основные параметры полупроводниковых материалов при Т = 300 K

Приложение Б Справочные данные по функциям Бесселя

Приложение В Классификация и условное обозначение твердотельных МВП

Приложение Г Параметры диодов Ганна и ЛПД