Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов

Методическое пособие к лабораторной работе для студентов бакалавриата по направлению 11.03.04210100.62 – Электроника и наноэлектроника. Профиль: «Квантовая и оптическая электроника»

Цель данной работы – изучение процессов, протекающих в фоторезисторе при его освещения непрерывным излучением различной частоты и при различных значениях напряжения, приложенного к фоторезистору, а также вычисление из полученных зависимостей параметров полупроводника.

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Давыдов, В. Н. Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов: Методическое пособие к лабораторной работе для студентов бакалавриата по направлению 11.03.04210100.62 – Электроника и наноэлектроника. Профиль: «Квантовая и оптическая электроника» [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов. — Томск: ТУСУР, 2016. — 16 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/5967
Автор:   Давыдов В. Н.
Год издания: 2016
Количество страниц: 16
Скачиваний: 22

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Теоретическая часть

2.1. Основные понятия и параметры

2.2. Фотопроводимость полупроводников. Собственная

и примесная фотопроводимость

2.3. Полевые свойства фотопроводимости

2.4. Частотные свойства фотопроводимости

3. Вопросы для самостоятельной проверки знаний

4. Экспериментальная часть

4.1. Описание экспериментальной установки

4.2. Задание к лабораторной работе

4.3 Методические указания к выполнению работы

4.4. Порядок выполнения работы

5. Требования к составлению и оформлению отчета

6. Литература



Похожие пособия