Сайты ТУСУРа

Технология материалов электронной техники

Учебное пособие

Изложены основные вопросы технологии полупроводниковых и диэлектрических материалов, используемых в электронной технике. Учебное пособие предназначено для студентов специальности 210104 и других специальностей, связанных с технологией и проектированием приборов и устройств твердотельной электроники.

Кафедра физической электроники

Библиографическая запись:

Жигальский, А. А. Технология материалов электронной техники: Учебное пособие [Электронный ресурс] / А. А. Жигальский. — Томск: ТУСУР, 2006. — 143 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/554
Год издания: 2006
Количество страниц: 143
Скачиваний: 451

Оглавление (содержание)

Введение

1 ОСНОВЫ ТЕПЛОМАССОПЕРЕДАЧИ И ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ТЕХНОЛОГИИ МЭТ

1.1 Тепловые процессы

1.2 Процессы массопередачи

1.2.1 Гидродинамические основы процессов массопередачи

1.2.2 Коэффициенты динамической, кинематической вязкости взаимодиффузии

1.2.3 Газодинамика в трубчатом реакторе

1.2.4 Динамический, диффузионный и тепловой пограничные слои

1.2.5 Диффузия в твердых телах

1.3 Химические процессы

2 ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕРАБОТКИ, РАЗДЕЛЕНИЯ И ОЧИСТКИ СЫРЬЕВЫХ МАТЕРИАЛОВ

2.1 Процессы измельчения и рассеивания твердых тел

2.2 Общая характеристика чистоты вещества

2.3 Общая характеристика процессов разделения и очистки

2.4 Сорбционные процессы

2.4.1 Адсорбция

2.4.2 Ионный обмен

2.4.3 Хроматография

2.5 Процессы жидкостной экстракции

2.6 Кристаллизационные процессы

2.7 Процессы перегонки через газовую фазу

2.8 Очистка веществ с помощью химических транспортных реакций

2.9 Другие процессы разделения и очистки веществ

3 ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ ЗАТВЕРДЕВАНИЯ И ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

3.1 Образование кристаллических зародышей и стеклование

3.2 Механизм и кинетика роста кристаллов

3.3 Получение кристаллов из твердой фазы

3.4 Получение кристаллов из расплавов

3.4.1 Метод нормальной направленной кристаллизации

3.4.2 Метод вытягивания кристаллов из расплавов

3.4.3 Выращивание кристаллов методом зонной плавки

3.5 Получение кристаллов из газовой фазы

3.6 Эпитаксиальные процессы

3.6.1 Виды эпитаксиальных процессов

3.6.2 Эпитаксия кремния в диффузионном режиме

3.7 Получение профильных монокристаллов

4 ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЛЕГИРОВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

4.1 Распределение примесей в выращиваемых кристаллах

4.1.1 Распределение примесей при нормальной направленной кристаллизации

4.1.2 Распределение примесей при зонной плавке

4.2 Методы получения однородно легированных кристаллов

4.2.1 Сегрегационные методы выравнивания состава кристаллов

4.2.2 Технологические неоднородности состава кристаллов и методы их уменьшения

5 ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛА И СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

5.1 Строение и свойства стекол

5.1.1 Получение стекол

5.2 Получение ситаллов

5.3 Основы технологии керамических материалов

5.3.1 Получение керамических материалов

5.3.2 Методы формования заготовок керамических изделий

Литература



Похожие пособия