Руководство к лабораторной работе по курсу « Физические основы микро- и наноэлектрони- ки» для студентов специальности «Конструирование и производство радиоэлек- тронных средств»
Диффузионная длина неосновных неравновесных носителей заряда является важным параметром полупроводникового материала, характеризующим степень его чистоты и его пригодность для производства приборов. Для различных полупроводников диффузионная длина может изменяться от тысячных до десятых долей сантиметра. При изготовлении транзисторов, например, желательно иметь материалы с возможно большей диффузионной длиной, при этом будет увеличиваться коэффициент усиления триода по току. Применение материалов с большой диффузионной длиной при производстве фотоэлементов позволяет увеличить вырабатываемую этими элементами э. д. с., при создании импульсных диодов и транзисторов используются материалы с малой диффузионной длиной и малым временем жизни.
Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
Библиографическая запись:
Славникова, М. М. Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу « Физические основы микро- и наноэлектрони- ки» для студентов специальности «Конструирование и производство радиоэлек- тронных средств» [Электронный ресурс] / М. М. Славникова. — Томск: ТУСУР, 2015. — 14 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/5076
Оглавление (содержание)
1. Введение
2. Понятие об основных и неосновных носителях заряда
3. Равновесные носители
4. Время жизни неравновесных носителей
5. Физический смысл диффузионной длины неравновесных носителей заряда
6. Измерение диффузионной длины неравновесных носителей заряда
7. Порядок работы
8. Контрольные вопросы
9. Рекомендуемая литература