Исследование основных параметров полупроводникового лазера

Методические указания к лабораторной работе для студентов направлений 210100.62 – Электроника и наноэлектроника, 222900.62 – Нанотехнологии и микросистемная техника

В ходе выполнения работы у студентов формируются: - готовность выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования (ПК-10); - способность аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения (ПК-20).

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Башкиров, А. И. Исследование основных параметров полупроводникового лазера: Методические указания к лабораторной работе для студентов направлений 210100.62 – Электроника и наноэлектроника, 222900.62 – Нанотехнологии и микросистемная техника [Электронный ресурс] / А. И. Башкиров, В. В. Щербина. — Томск: ТУСУР, 2014. — 20 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/3984
Год издания: 2014
Количество страниц: 20
Скачиваний: 23

Оглавление (содержание)

1 Введение

2 Теоретическая часть

2.1 Основные понятия

3 Экспериментальная часть

3.1 Экспериментальная установка

3.2 Порядок выполнения работы

3.2.1 Исследование зависимости интенсивности лазерного излучения от величины тока, протекающего через p-n переход

3.2.2 Исследование зависимости степени поляризации излучения от величины тока, протекающего через p-n переход

3.2.3 Обработка результатов измерений

4 Содержание отчета

Список рекомендуемой литературы